전운 감도는 차세대 메모리 시장…TSMC·인텔·삼성·SK 경쟁

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전운 감도는 차세대 메모리 시장…TSMC·인텔·삼성·SK 경쟁

디지털데일리 발행일 2019-12-02 11:49:29

김도현

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[디지털데일리 김도현기자] 글로벌 반도체 업체들이 차세대 메모리를 준비하고 있다. 기존 제품들의 장점을 합쳐놓은 메모리가 등장할 전망이다. 다만 D램과 낸드플래시 입지가 견고한 만큼 신제품 출시 속도를 조절할 수 있다는 의견도 나온다.

2일 업계에 따르면 반도체 위탁생산(파운드리) 업계 1위 TSMC는 5나노미터(nm) S램을 공개했다. 극자외선(EUV) 공정을 도입했다. S램은 전원을 끄지 않는 한 데이터가 사라지지 않는다. 정보 유지용 소자를 부착, D램과 차별점을 둔다. 대신 복잡한 회로와 많은 소자 탓에 가격이 비싸다.

인텔은 ‘옵테인’을 중심으로 메모리 시장에 다시 뛰어들었다. 옵테인은 P램(상변화 메모리) 기반 제품이다. 전원을 꺼도 정보 저장 가능한 낸드, 처리속도 빠른 D램의 장점을 합쳤다. 인텔은 지난 4월 옵테인 데이터센터 퍼시스턴트 메모리 모듈(DCPMM)을 출시, 서버 시장 공략에 나섰다. 서버용 중앙처리장치(CPU)와 칩셋 등을 장악한 인텔이 메모리 분야까지 노리는 전략이다. 비용 절감, 호환 등에서 경쟁사 대비 두각을 나타낼 것으로 보인다.

삼성전자와 SK하이닉스도 발 빠르게 대응하고 있다. 삼성전자는 D램과 낸드 1위 업체다. 차세대 메모리 경쟁에서도 유리한 구조다. 지난 3월부터 내장형 M램인 ‘eM램(embedded Magnetic)’을 출하했다. M램은 자기장을 이용, 정보를 기억하는 방식을 사용한다. 삼성전자 역시 P램 개발 중이지만, M램에 무게를 두는 분위기다.

SK하이닉스는 STT-M램(스핀주입자화반전메모리)과 Re램(Resistance) 등 연구개발에 주력하고 있다. Re램은 소자의 저항특성을 활용하는 비휘발성 메모리다. 키옥시아(전 도시바)와 STT-M램을 공동 개발하고 있다.

일부 업계 관계자는 차세대 메모리에 대해 조심스러운 입장을 내놓았다. D램과 낸드를 뛰어넘는 수준에 도달하지 않는 한 상용화되기 어렵다는 지적이다. 한 업계 관계자는 “고객사가 제일 중요하게 여기는 점은 가격과 성능”이라며 “두 부분을 맞추려면 기술 고도화는 물론 수율 안정화, 원가 절감 등 여러 이슈를 해결해야 할 것”이라고 분석했다.

다른 업계 관계자는 “옵테인은 반대로 말하면 D램보다 느리고 낸드보다 용량이 적다는 뜻”이라면서 “D램과 낸드를 대체할 제품이 시장 진입 성공하면 바로 전환하겠지만, 현재 상황은 그렇지 않다”고 말했다.

한편 메모리 ‘빅3’(삼성전자·SK하이닉스·마이크론)는 공정 세대교체에 돌입한 상태다. 10나노급 D램은 공정에 따라 1세대(1x), 2세대(1y), 3세대(1z)로 구분된다. 각각 10나노대 후반, 중후반, 초중반 정도다. 지난 10월 SK하이닉스를 끝으로 3개 업체가 1z 공정 개발을 완료했다. 당시 SK하이닉스는 “1z는 1y 대비 생산성이 27% 향상됐다”고 발표했다. 미세공정이 심화하면서 메모리 업체 간 경쟁도 치열해질 것으로 보인다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr