삼성전자, 고성능 낸드플래시 양산…스마트폰 내장메모리 정조준

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삼성전자, 고성능 낸드플래시 양산…스마트폰 내장메모리 정조준

디지털데일리 발행일 2016-02-25 09:37:11

이수환

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삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 권오현, 윤부근, 신종균)가 이달부터 차세대 스마트폰용 내장메모리 ‘256GB UFS(Universal Flash Storage)’를 세계 최초로 양산한다고 25일 밝혔다. 작년 1월 128GB UFS를 양산한바 있고 1년 만에 용량과 속도를 2배 높인 제품을 내놓으며 본격적인 프리미엄 메모리 시장 확대에 나선 셈이다.

UFS는 국제 반도체표준화기구(JEDEC)의 최신 내장메모리 규격인 ‘UFS 2.0’ 인터페이스를 적용한 낸드플래시를 말한다. 이번에 삼성전자가 개발한 제품은 고성능 마이크로 SD카드보다 9배 빠르고(연속읽기 속도 기준) 노트북용 보급형 솔리드스테이트드라이브(SSD)보다도 2배 가까이 성능이 높다.

또한 V낸드플래시 메모리와 독자 개발 고성능 컨트롤러를 탑재해 마이크로 SD카드보다도 작은 크기를 제공한다. 2개의 UFS 데이터전송 통로(Lane)를 구성했으며 초당 850MB의 연속읽기 속도를 구현했다. 연속쓰기 속도도 스마트폰에서 확장 메모리로 사용되는 외장형 고속 마이크로 SD카드보다 약 3배 빠른 초당 260MB까지 높였다.

시스템 속도에 가장 큰 영향을 미치는 임의 읽기/쓰기 속도도 기존 UFS제품(1만1000/1만4000 IOPS)보다 2배 이상 빠른 4만5000/4만 IOPS를 달성했다. USB 3.0 인터페이스를 지원하는 차세대 스마트폰에서는 기존 스마트폰보다 외부와의 데이터 처리 속도를 10배 이상 높일 수 있어 5GB의 풀HD 동영상을 11초대에 전송할 수 있다.

삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 최주선 부사장은 “이번 UFS 메모리 출시로 메모리카드 시장의 성장 패러다임도 성능 중심으로 빠르게 전환될 것”이라며 “향후 대용량 콘텐츠 시대에 맞추어 NVMe SSD, 포터블SSD, UFS 등 3대 프리미엄 제품군의 성능과 용량을 동시에 높여 독보적인 제품 경쟁력을 더욱 강화해 나갈 것”이라고 강조했다.

<이수환 기자>shulee@insightsemicon.com