[인터뷰] "EUV 도입한 인텔4, 삼성·TSMC보다 경쟁우위"…`하이NA` ASML 논의

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[인터뷰] "EUV 도입한 인텔4, 삼성·TSMC보다 경쟁우위"…'하이NA' ASML 논의

디지털데일리 발행일 2023-08-23 12:50:32

페낭(말레이시아)=김문기 기자

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[인텔 테크 투어 2023] 윌리엄 그림 인텔 부사장, "인텔4, 전력면에서 이점" [소부장반차장]

[디지털데일리 김문기 기자] 인텔이 ‘인텔4’ 공정에 대한 자신감을 드러냈다. 타사 대비 경쟁력을 갖춘데 이어 양호한 수율을 달성하고 있다고 밝혔다. 동일 공정이 도입되는 아일랜드 두번째 팹 역시 목표 수율 달성에 순항하고 있다고 설명했다. 또한 차세대 공정에 대응하는 하이NA(High-NA) 장비와 관련해 ASML과 논의 중이라고 언급했다.

윌리엄 그림 인텔 로직 기술 및 개발 제품 엔지니어링 디렉터(부사장)는 22일(현지시간) 말레이시아 페낭에서 열린 ‘인텔 테크 투어 2023’에서 한국기자들과 만나 인텔 클라이언트용 14세대 코드명 메테오레이크에 첫 적용되는 인텔4 공정에 대한 자신감을 드러냈다.

삼성전자와 TSMC 등 경쟁 파운드리 기업과의 비교에 대해 직접 밝히기는 조심스러워 했으나 자신감을 숨기지는 않았다. 세미위키가 지목한 IC날리지에 따르면 인텔4 공정은 7나노급이지만 TSMC의 3나노(N3E), 삼성전자 3나노(GA3) 대비 트랝지스터 집적도가 높은 것으로 나타났다.

인텔4(7nm급) 공정은 극자외선노광(EUV)장비가 첫 도입된다. 경쟁사 대비 늦은 대응이다. 이에 대해 그림 부사장은 디자인 복잡성으로 인해 10나노 단계에서 맞지 않았을뿐이며, 인텔4 공정에 이르러 EUV장비가 인텔이 추구하는 목표를 달성할 수 있는 효율성에 도달했다고 설명했다.

그는 “10나노 공정이 지연됐고, EUV장비도 그 때 쓰이지 못했으나 우리 반도체 디자인 역시도 EUV 역량을 활용할 수 없을 정도로 복잡했다”라며, “인텔4에 이르러 EUV장비를 도입할 수 있었고, 이를 통해서 복잡성을 통제할 수 있게 됐다”고 말했다.

또한 “인텔은 지난 몇년간 10나노 공정에서 지속적으로 트랜지스터 성능을 개선해왔고, 그에 따라 인텔7이라고 명명했다”라며, “인텔4부터 도입된 EUV를 통해 비용면에서도 이점을 가질 수 있게 됐으며, 이는 인텔7과 인텔4의 생산 비용을 비교해보면 알 수 있다”고 덧붙였다.

특히, 인텔4가 전력효율면에서 이점이 있다고 강조했다. 그림 부사장은 “인텔7과 비교하면 인텔7은 더 많은 성능을 구현하는데 집중했고, 인텔4는 전력 효율성에 집중했다”라며, “사람들은 배터리가 오래 지속되는 노트북을 원한다. 인텔4가 제공 가능한 요구사항으로 높은 전력 효율성을 기반한다”고 말했다.

EUV 장비 수급과 관련해 “ASML로부터의 EUV 장비 공급이 제한적이기는 하나 우리의 니즈는 충족되는 수준이다”라며, “인텔4뿐만 아니라 인텔3, 등 향후 몇 년동안 시장 수요를 충족할 수 있는 수준의 계획을 가지고 있다”고 자신했다.

또한 EUV 장비를 넘어 초미세공정에 도입될 것으로 기대되는 하이Na(High-Na) 장비 도입과 관련해 “ASML과 하이NA EUV에 대해 논의 중”이라며, “인텔은 해당 분야의 얼리어답터가 되고자 한다”고 밝혔다.

한편, 그림 부사장은 “(인텔4 공정 기반 메테오레이크는) 올해부터 웨이퍼를 생산하기 시작해 출시를 위한 CPU 공급이 시작됐다”라며, “미국 오레곤에서 현재 제조하고 있으며 최종 수율 역시 양호하다. 아일랜드의 2번째 팹(인텔4 공정 도입 팹)의 생산능력 달성이 거의 가까워졌다”고 말했다.

인텔은 아일랜드 레익슬립에 첨단 반도체 공장인 ‘팹34’를 구축 중이다. 이 곳은 EUV가 도입되는 인텔의 차세대 공정이 도입되는 유럽의 전진기지 역할을 담당할 것으로 예상된다. 우리나라의 경우 정의선 현대차그룹 회장이 지난 7월 이 곳을 찾아 화제가 되기도 했다.