인피니언, `쿨GaN 600V GIT HEMT` 포트폴리오 출시

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인피니언, '쿨GaN 600V GIT HEMT' 포트폴리오 출시

디지털데일리 발행일 2023-06-01 14:30:06

김문기 기자

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인피니언 CoolGaN 600 V product [사진=인피니언]

[디지털데일리 김문기 기자] 인피니언 테크놀로지스(대표 이승수)는 쿨(Cool)GaN 600V 하이브리드-드레인-임베디드 게이트 주입 트랜지스터(HD-GIT) 기술을 자체 제조 설비에 성공적으로 통합했다고 1일 발표했다.

인피니언의 GaN 포트폴리오는 JEDEC 수명 요건을 훨씬 상회하는 광범위한 디스크리트 및 고집적 GaN 디바이스를 포함한다. 새로운 쿨GaN 디바이스는 서버, 통신, 태양광 용 산업용 SMPS에서부터 충전기와 어댑터, 모터 드라이브, TV/모니터, LED 조명 시스템 같은 컨슈머 애플리케이션에 이르기까지 다양한 애플리케이션에 최적화됐다.

쿨GaN 디스크리트 및 IPS(integrated power stage) 디바이스 포트폴리오는 JEDEC 표준(JESD47 및 JESD22)을 준수하는 산업용 애플리케이션의 특정 요구사항 충족을 위해 필요한 유연성을 제공한다.

디스크리트 쿨GaN GIT HEMT 디바이스는 DSO-20-85, DSO-20-87, HSOF-8-3, LSON-81, TSON-8 패키지로 42mΩ~340mΩ의 다양한 온 저항(RDS(on),max) 값으로 제공된다. IPS 솔루션은 하프 브리지 형태와 단일 채널 디바이스로 제공된다.

하프 브리지 솔루션은 2개의 GaN 스위치를 통합해다. TIQFN-28 패키지로 (2x) 190mΩ~650mΩ의 RDS(on),max 값으로 제공된다. 단일 채널 솔루션은 열 향상 TIQFN-21 패키지로 130mΩ~340mΩ의 RDS(on),max 값으로 지원된다.

인피니언 쿨GaN GIT 기술은 견고한 게이트 구조, 내부 정전기 방전(ESD) 보호, 뛰어난 동적 RDS(on) 성능의 고유한 조합을 특징으로 한다. GaN의 본질적 특성을 최대한 활용해서 Si 기술 대비 10배 높은 항복 전계, 2배 높은 전자 이동도, 10배 낮은 출력 전하, 제로 역 회복 전하, 10배 낮은 선형 출력 정전 용량(COSS)의 게이트 전하 등 탁월한 성능지수(FoM)를 제공한다.

이러한 기술적 특징은 극히 낮은 RDS(on), 공진 회로의 효율 향상, 새로운 토폴로지 및 전류 변조 사용, 빠르고 거의 무손실에 가까운 스위칭 등 설계 상 중요한 이점을 제공한다.

인피니언의 쿨GaN 디바이스는 현재 양산을 시작했으며 샘플 주문을 받고 있다.