- 파운드리 캐파 확대 지속…탄력 운영 위해 '쉘 퍼스트' 도입
[디지털데일리 김도현 기자] “첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술.”
지난 6월 유럽 출장을 마치고 돌아온 이재용 삼성전자 부회장은 이같이 말했다. 당시 이 부회장의 발언은 지난 3일(현지시각) 미국 실리콘밸리에서 개최된 ‘삼성 파운드리 포럼 2022’에서도 묻어났다.
삼성전자는 해당 포럼이 3년 만에 오프라인으로 열린 만큼 파운드리 사업에 대한 여러 정보를 공유했다. 이례적일 정도로 다양하고 상세했다.
◆업계 최초 1.4nm 반도체 선보일까=가장 눈에 띄는 건 선단 공정. 이날 삼성전자는 2025년 2나노미터(nm), 2027년 1.4nm 공정을 도입한다고 밝혔다.
지난 6월 삼성전자는 세계 최초로 3nm 반도체 양산에 돌입했다. 더욱 의미를 부여할 수 있는 포인트는 GAA(Gate-All-Around) 기술도 선제적으로 도입한 점이다. GAA는 전류 흐름을 조절하는 트랜지스터의 게이트(전류가 드나드는 문)와 채널(전류가 흐르는 길)이 닿은 면을 4개로 늘린 구조다. 기존 핀펫(FinFET) 방식보다 접촉면을 1개 더 늘려 전력 효율을 높였다. GAA 적용 3nm 칩은 FinFET 기반 5nm 칩 대비 ▲성능 30% 향상 ▲전력소모 50% 절감 ▲면적 35% 축소 등 개선이 이뤄진다는 평가다.
현재 삼성전자는 3nm 2세대 제품도 개발하고 있다. 연이은 2nm, 1.4nm 공정 역시 GAA 기반이다. 앞서 인텔이 1.8nm 반도체를 2024년 하반기부터 양산한다고 발표했으나 다음 공정 일정은 미정이다. TSMC는 2nm 수준까지만 오픈했다. 삼성전자는 처음으로 1nm대 초중반 기술을 언급하면서 기술력에 대한 자신감을 드러냈다.
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