◆EUV 한계 측면 돌파하는 어플라이드=17일 업계에 따르면 미국 어플라이드머티어리얼즈(이하 어플라이드)는 측면 식각 패터닝 기술을 개발했다. 통상 위에서 수직적으로 깎아내는 대신 말 그대로 옆면으로 제거하는 방식이다.
해당 기술은 반도체 회로를 구분하는 칸막이 ‘STI(shallow Trench Isolation)’를 만드는 과정에서 쓰인다. 패턴 미세화로 STI가 무너지지 않으면서 작게 만드는 게 점점 더 어려워지는데 측면 식각으로 이를 극복하려는 시도다. 모래 뺏기 놀이에서 깃발이 넘어지지 않도록 옆에서 살살 긁어내는 것을 생각하면 이해하기 쉽다.
빛의 파장이 불화아르곤(ArF) 대비 13.5배 짧은 EUV 공정에서 측면 식각을 활용하면 마스크 수를 50% 이상 축소할 수 있다는 평가다. EUV 장비와의 시너지가 기대되는 요소다. 어플라이드는 “45도 각도에서 수행하는 혁신적인 기법”이라며 “임계치수(CD)를 줄이고 공정 단계도 줄일 수 있다”고 설명했다. CD는 패턴화된 선의 너비다.
지난달 열린 회계연도 2022년 1분기(2021년 10~12월) 컨퍼런스콜에서 마이클 설리반 어플라이드 부사장이 관련 내용을 언급한 바 있다. 상용화를 앞둔 것으로 추정된다.
어플라이드는 일련의 과정을 측정할 수 있는 전자빔 계측 시스템도 개발 중이다. EUV는 물론 트랜지스터 게이트와 채널이 닿는 면을 4개로 늘린 GAA(Gate All Around) 등 차세대 공정에 대한 계측이 가능한 것이 특징이다.
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