[취재수첩] 삼성 반도체의 저력

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[취재수첩] 삼성 반도체의 저력

디지털데일리 발행일 2021-03-22 16:09:04

김도현

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- EUV 적용 D램·200단 낸드·파운드리 경쟁력

[디지털데일리 김도현 기자] 인텔과 반도체 왕좌를 놓고 다투던 삼성전자에 대한 우려가 나오고 있다. 마이크론 SK하이닉스 키옥시아 등이 앞다퉈 신기술 개발소식을 전한 반면 삼성전자는 조용한 탓이다.

수탁생산(파운드리) 사업에서는 TSMC와의 경쟁이 치열하다. 일각에서는 삼성전자의 미세공정 기술이 TSMC와 격차가 크다고 평가한다.

대내외적인 위기설에도 삼성전자는 자신만의 길을 걷고 있다. 삼성 반도체를 이끄는 디바이스솔루션(DS)부문장 김기남 대표는 지난 17일 정기 주총에서 “여전히 압도적인 메모리 시장 지배력을 갖고 있다”며 “선단 공정 경쟁력은 (TSMC와 비교해) 손색없다”고 강조했다.

메모리의 경우 표면적으로는 마이크론에 추격을 허용한 것 같지만 실상은 다르다.

삼성전자는 업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 D램에 도입했다. 마이크론은 기존 불화아르곤(ArF) 공정으로 4세대 10나노급(1a) D램을 만들었다. EUV를 소수의 레이어에만 적용하는 점, 초기 비용 및 수율 문제 등으로 1a D램에서는 양사 간 차이가 크지 않겠지만 단계를 거듭할수록 격차가 벌어질 전망이다.

낸드도 마찬가지다. 삼성전자는 유일하게 100단 이상을 싱글 스택으로 처리할 수 있다. 한 번의 공정으로 모든 층을 관통하기 때문에 시간과 비용면에서 유리하다. 최근 마이크론과 SK하이닉스가 176단 낸드 개발에 성공했는데 더블 스택을 이용했다. 가령 96단 위에 80단을 얹은 개념이다.

삼성전자는 128단까지 싱글로 했기 때문에 더블로 하면 단순 계산으로 256단이 가능하다. 단숨에 경쟁사를 훌쩍 뛰어넘는 셈이다. 실제로 삼성전자는 200단 이상 낸드를 개발 중이다.

파운드리 역시 삼성전자 협력사에서는 TSMC와 7나노미터(nm) 이하 공정에서 기술적 차이가 없다고 본다. 한 관계자는 “대만 언론 등에서 삼성 수율 문제를 제기한 적이 있는데 사실은 그렇지 않다. 오히려 TSMC가 삼성의 추격을 의식해 투자를 대폭 늘리는 분위기”라고 설명했다.

총수 부재, 자연재해 등 삼성전자에 부정적인 이슈가 있던 건 분명하다. 다만 삼성전자가 세계 최고 수준의 기술력을 갖췄고 이를 유지하기 위한 노력을 이어가고 있음도 분명하다. 과거와 달리 신기술 개발이 점점 더 어려워지고 업체 간 경쟁이 심해지겠지만 삼성 반도체가 쉽게 무너질 것 같지는 않다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr