SK하이닉스, 단일 칩 ‘최대 용량’ D램 개발…3세대 10나노 공정

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SK하이닉스, 단일 칩 ‘최대 용량’ D램 개발…3세대 10나노 공정

디지털데일리 발행일 2019-10-21 12:52:36

김도현

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[디지털데일리 김도현기자] SK하이닉스가 단일 칩 기준 업계 최대 용량 D램을 공급한다. 삼성전자가 9월부터 양산 돌입한 제품과 같은 용량이다.

21일 SK하이닉스(대표 이석희)는 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR(Double Data Rate)4 D램을 개발했다고 밝혔다. 연내 양산 준비를 마치고, 내년부터 본격 양산에 돌입할 예정이다.

16Gb 제품은 단일 칩 기준 업계 최대 용량이다. 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 27% 정도 향상됐다. 극자외선(EUV) 공정 없이도 생산 가능, 원가 경쟁력도 확보했다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200메가비피에스(Mbps)까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여, 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다.

SK하이닉스 D램개발사업 1z 태스크포스(TF)장 이정훈 담당은 “이번에 개발한 제품은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내에 양산 준비를 마치고, 2020년부터 본격 공급에 나설 것”이라고 설명했다.

한편 SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LP(Low Power)DDR5와 최고속 D램 고대역폭 메모리(HBM)3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 적용할 방침이다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr