[2017 디지털혁신상품] 삼성전자, 10나노급 2세대 D램

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[2017 디지털혁신상품] 삼성전자, 10나노급 2세대 D램

디지털데일리 발행일 2017-12-22 10:50:08

이수환

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[디지털데일리 이수환기자] 전 세계 어디라도 삼성전자 D램은 최고라고 말할 수 있다. 우리나라 기업이라서 그런 게 아니라 이제까지의 역사가 증명한다. 누구도 이런 사실을 부정할 수는 없다. 최근 양산을 시작한 ‘10나노급 2세대(1y나노) D램’이 이를 증명한다. 이정도 수준의 D램은 아직까지 삼성전자만 만들 수 있다.

1y나노 D램은 ‘초고속·초절전·초소형 회로 설계’, ‘초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계’, ‘2세대 에어 갭(Air Gap) 공정’ 등이 적용됐다. 이 가운데 눈여겨볼만한 기술은 초고감도 셀 데이터 센싱 시스템 설계다. D램은 커패시터에 전류를 얼마나 ‘잘’ 담느냐가 핵심이다.

삼성전자는 초정밀 전압차이 감지 시스템 개발로 셀에 저장된 데이터를 더욱 정밀하게 확인해 셀 데이터 읽기 특성을 2배 이상 높였다고 설명했다. 앞으로 1y나노 D램은 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등에 순차적으로 적용될 예정이다.

<이수환 기자>shulee@ddaily.co.kr