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[삼성전자컨콜] 20나노 D램은 DDR4부터 대응

디지털데일리 발행일 2014-04-29 10:54:45
한주엽

[디지털데일리 한주엽기자] 백지호 삼성전자 메모리사업부 상무는 29일 오전 열린 2014년도 1분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 “20나노 D램 양산 발표는 이미 했지만 해당 제품은 차세대 인터페이스인 DDR4로 만들었기 때문에 그쪽에 맞춰서 대응(램핑업)할 것”이라며 “20나노 및 25나노 D램 비중은 말할 수 없지만 전체 생산량의 3분의 2 이상이 원가경쟁력을 갖춘 제품들”이라고 말했다.

백 상무는 “20나노대로 가면서 생산 칩 수는 늘어나지만 공정 시간이 한 달 이상 증가하기 때문에 웨어퍼를 넣으면 2~3달 뒤에 최종 제품이 나온다”라며 “따라서 올해의 경쟁력 확보는 웨이퍼 투입을 어떻게(모바일&컴퓨팅 중 선택) 할 것인가에 달렸다”라고 말했다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr

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