ST, FD-SOI 공정용 고성능 임베디드 메모리 IP 확보

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ST, FD-SOI 공정용 고성능 임베디드 메모리 IP 확보

디지털데일리 발행일 2013-11-26 10:37:02

한주엽 기자

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[디지털데일리 한주엽기자] ST마이크로일렉트로닉스는 메모아 시스템즈의 알고리듬 메모리 설계자산(IP)을 자사 완전 공핍형 실리콘-온-인슐레이터(FD-SOI Fully-depleted silicon-on-insulator) 공정으로 생산되는 주문형반도체(ASIC) 및 시스템온칩(SoC)의 임베디드 메모리에 적용할 수 있게 됐다고 발표했다.

메모아의 알고리즘 메모리 기술을 ST의 FD-SOI 공정으로 생산된 제품에 적용하면 소비 전력 및 성능에서 상당한 이점을 얻을 수 있다고 회사 측은 설명했다.

필립 마가색 ST 설계 상용화 및 서비스 부문 수석 부사장은 “ST의 FD-SOI 공정 기술 자체로도 다른 공정으로 생산된 디바이스보다 더 빠르고 발열이 적은 ASIC과 SoC의 제조가 가능하다”며 “메모아 시스템즈사의 탁월한 IP를 더해 FD-SOI는 더욱 매력적인 공정이 됐다”라고 설명했다.

ST는 기존의 평면 벌크-실리콘(Bulk-silicon) 제조방식을 확장, 단순화하는 FD-SOI 공정 기술을 상용화한 최초의 반도체 기업이다. ST의 FD-SOI 트랜지스터는 개선된 정전기 특성과, 짧은 채널 길이로 벌크 CMOS를 이용해 만들어진 동급 트랜지스터 대비 더 높은 주파수에서 작동한다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr