반도체 미세 공정 한계가 없다…인텔, 32나노 공정 개발

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반도체 미세 공정 한계가 없다…인텔, 32나노 공정 개발

디지털데일리 발행일 2008-12-10 15:38:19

윤상호

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- 2년마다 공정 진화 '틱톡' 전략 입증…2009년 32나노 칩 생산 목표

반도체 미세 공정 한계가 없다. 인텔이 또 한 번 새 역사를 썼다. 32나노 공정 개발에 성공했다. 물론 삼성전자는 이미 32나노 공정을 실현했다. 하지만 메모리 반도체가 아닌 마이크로프로세서 분야에서는 인텔이 처음이다. 일반적으로 마이크로프로세서가 메모리 반도체보다 복잡도가 높아 공정을 미세화 하는 것이 어렵다.

인텔은 32나노미터 반도체 칩 공정 개발 단계를 완료했다고 10일 밝혔다. 인텔은 다음 주 미국 샌프란시스코에서 개최되는 국제전자소자회의(IEDM; International Electron Devices meeting)에서 32나노 공정 기술에 관한 다양한 세부 기술 내역을 다른 여러 주제들과 함께 발표할 계획이다.

인텔은 12개월마다 최첨단 제조 공정으로 교체해 완전히 새로운 프로세서 마이크로아키텍처를 출시한다는 '틱톡(tick-tock)' 전략을 취하고 있다. 지난 2007년 45나노 제조 공정을 개발하며 하프늄 하이-k 메탈케이트를 반도체 절연체로 도입해 미세공정 한계를 극복했다. 이번에 개발된 32나노 공정을 이용한 제품은 오는 2009년 4분기부터 생산될 예정이다.

이번 32나노 보고서 및 설명회에서는 ▲2세대 하이-k 메탈 게이트 기술 ▲193나노 액침 노광 기술(immersion lithography) ▲강화된 트랜지스터 스트레인 기법들을 통합하는 로직 기술 등을 설명한다.

인텔 시니어 펠로우 공정 아키텍처 및 통합 담당 이사 마크 보어는 "인텔의 제조 능력과 그로 인한 제품들은 인텔 기반 랩톱과 서버, 데스크톱의 연산 능력 및 배터리 수명을 강화하는데 도움을 주었다"고 설명했다.

또 "올해 선보인 것과 같이, 인텔의 제조 전략 및 실행은 MID, CE 장비, 임베디드 컴퓨터 및 넷북용의 완전히 새로운 제품 라인 개발 능력을 줬다"고 덧붙였다.

한편 인텔은 ▲인텔 45나노 공정의 저전력 시스템 온칩 버전 ▲복합 반도체 기반 트랜지스터 ▲45나노 트랜지스터 성능 증진을 위한 기판 기술 ▲45나노 이상 노드를 위한 통합 화학적 기기 연마(Chemical mechanical polish) ▲실리콘 광학 모듈레이터 통합 등의 내용을 공개한다.

인텔은 22나노 CMOS 기술 관련 단기 코스에도 참여할 예정이다.

<윤상호 기자>crow@ddaily.co.kr