로옴, TSMC와 GaN 전력반도체 개발·양산 전략적 협력

실시간
뉴스

반도체

로옴, TSMC와 GaN 전력반도체 개발·양산 전략적 협력

디지털데일리 발행일 2024-12-10 10:00:54

고성현 기자

URL복사

[디지털데일리 고성현 기자] 로옴(ROHM, 대표 마츠모토 이사오)이 대만 반도체 파운드리 TSMC와 차량용 질화갈륨(GaN) 전력반도체 개발과 양산에 대한 전략적 파트너십을 체결했다고 10일 밝혔다.

로옴은 이번 파트너십으로 자사의 GaN반도체 개발 기술과 TSMC의 GaN-on-Silicon 프로세스 기술을 융합, 고전압·고주파 특성이 우수한 전력 디바이스에 대한 수요 증가에 대응할 계획이다.

GaN 전력반도체는 현재 AC 어댑터 및 서버 전원 등에 사용되고 있다. TSMC는 전기차의 온보드 차저(OBC)나 인버터 등 차량용으로의 환경 효과를 전망하고 관련 기술을 강화하고 있다. 로옴은 지난해 TSMC의 650V GaN HEMT 프로세스를 채용해 자사 전력반도체 브랜드인 'EcoGaN' 시리즈 일부 등에 활용한 바 있다.

아즈마 카츠미 로옴 이사 전무 집행 임원은 "세계 최고의 최첨단 제조 기술을 보유한 TSMC와 협력할 수 있어 매우 기쁘게 생각한다"며 "이번 파트너십과 더불어 GaN 성능을 최대한으로 발휘시킬 수 있는 제어 IC를 포함해 사용이 편리한 GaN 솔루션을 제공, 오토모티브 분야에서 GaN의 보급을 촉진해 나갈 것"이라고 말했다.

Chien-Hsin Lee TSMC 스페셜티 기술 사업 개발 수석 디렉터는 "TSMC의 고도 반도체 제조 기술과 로옴의 파워 디바이스 설계 기술을 융합해 GaN 기술의 한계를 뛰어넘어 전기차로의 탑재를 추진해 나갈 것"이라고 말했다.