EUV 장비 쟁탈전 심화…D램 4위도 EUV 도입 선언 [IT클로즈업]

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EUV 장비 쟁탈전 심화…D램 4위도 EUV 도입 선언 [IT클로즈업]

디지털데일리 발행일 2021-07-11 11:28:36

김도현

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- 삼성전자·SK하이닉스·마이크론·난야, 연이어 EUV 적용
- EUV 장비 쟁탈전 심화…ASML은 ‘활짝’

[디지털데일리 김도현 기자] 차세대 노광 공정이 반도체 수탁생산(파운드리)에서 메모리로 넘어오고 있다. D램 1~4위 업체가 모두 극자외선(EUV) 기술을 도입하기로 했다. EUV 생태계가 본격 확장하는 시발점이 될 것으로 보인다.

EUV는 기존 불화아르곤(ArF) 대비 빛의 길이가 짧은 파장이다. 각각 13.5나노미터(nm)와 193nm 수준이다. 얇은 붓일수록 섬세한 작업이 가능하듯 EUV는 미세공정에 적합하다. D램의 회로 선폭이 10nm대 초중반까지 내려오면서 신기술 활용이 불가피했다.

지난 9일 대만 난야테크놀로지는 2021년 2분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 EUV를 언급했다. 난야는 올해 하반기 대만 북부 신베이시 과학단지에 D램 신공장을 증설할 예정이다. 2023년 완공, 2024년 양산 목표다. 이곳에 3000억대만달러(약 11조9500억원)을 투입되고 EUV 장비가 들어선다.

지난달 30일(현지시각) 마이크론도 EUV 적용을 공식화했다. 최근 네덜란드 ASML에 EUV 장비를 주문했다고 밝혔다. 연내 연구용 EUV 장비를 확보해 공정 개발에 속도를 내겠다는 계획이다.

앞서 삼성전자와 SK하이닉스는 10nm급 4세대(1a) D램 일부 레이어에 EUV 기술을 도입한다고 선언했다. 양사는 하반기 양산을 앞두고 있다.

주요 D램 업체가 연이어 EUV를 사용한다는 점은 큰 의미가 있다. 당초 EUV는 삼성전자와 TSMC가 파운드리 생산라인에서 활용했다. 7nm를 시작으로 5nm 공정에 들어서면서 EUV 영역이 확대되기 시작했다. 현재 애플리케이션프로세서(AP) 중앙처리장치(CPU) 등 고부가가치 반도체 생산과정에서 조금씩 쓰이고 있다.

반도체 업계 관계자는 “시스템반도체와 메모리반도체는 각각 다품종 소량생산, 소품종 대량생산 체제다. EUV가 D램으로 옮겨가면 관련 제품 물량이 기하급수적으로 상승하게 된다. 진정한 EUV 시대가 열리는 셈”이라고 설명했다. 하나의 AP 또는 CPU에 여러 개의 D램이 붙기 때문에 EUV 활용도가 대폭 늘어난다는 의미다.

다만 EUV 수요가 급증하는 만큼 장비 쟁탈전도 심화할 전망이다. EUV 장비는 ASML 독점 체제다. 높은 기술력을 요구해 1대 제작하는 데 20주 이상 소요된다. ASML은 작년 31대 판매했고 올해 40여대 생산 목표다.

기존 플레이어인 TSMC와 삼성전자 간 1대1 경쟁도 치열했는데 메모리 업체들이 대거 뛰어들면 수요공급 불균형이 발생할 수밖에 없다. 파운드리 시장에 진출한 인텔도 EUV 장비를 호시탐탐 노리는 형국이다.

다른 업계 관계자는 “EUV 장비 확보는 물론 이를 얼마나 잘 활용하느냐가 관건”이라면서 “상대적으로 먼저 출발한 삼성전자와 SK하이닉스가 외국 경쟁사 대비 한두 걸음 앞선 상태로 시작하게 될 것”이라고 분석했다.