“투자도 초격차”…삼성, 내년 상반기 반도체 대규모 ‘증설’

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“투자도 초격차”…삼성, 내년 상반기 반도체 대규모 ‘증설’

디지털데일리 발행일 2020-11-23 08:49:36

김도현

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- 12월부터 반도체 장비 발주 ‘스타트’

[디지털데일리 김도현 기자] 삼성전자가 반도체 초격차 전략을 이어간다. 메모리와 위탁생산(파운드리) 분야 동시다발적으로 선제 투자를 단행할 예정이다.

23일 업계에 따르면 삼성전자는 2021년 상반기에 증설을 진행한다. 웨이퍼 기준으로 ▲D램 월 3만장 ▲낸드플래시 월 6만장 ▲파운드리 월 2만장 내외다. 총 월 10만장이 넘는 대규모 투자다. 삼성전자 시안 1공장, 인텔의 다롄 공장 등 생산능력과 맞먹는 수준이다.

삼성전자는 전공정 장비업체 등과 투자 계획을 공유하면서 발주 시점을 논의하고 있다. 협력사들은 12월부터 장비 생산에 돌입할 전망이다. 경기 평택 2공장 위주로 설비 투입이 이뤄지며 물량이 가장 많은 낸드는 중국 시안 공장으로도 일부 분배된다.

삼성전자는 내년 상반기 메모리 반등을 예상해 이번 투자를 결정하게 됐다. 지난 3분기 실적 컨퍼런스콜을 통해 삼성전자는 “하반기 고객사 재고조정 영향으로 다소 약세였던 서버 수요는 업체의 재고 수준이 건전화되고 신규 중앙처리장치(CPU) 출시 영향까지 더해지면 내년 상반기 본격 턴어라운드할 것”이라고 설명했다. 모바일과 PC 수요는 상반기까지 견조할 것으로 내다봤다.

장비업체 관계자는 “낸드 투자가 대폭 늘어날 것으로 안다. 평택 2공장과 시안 2공장 잔여 공간을 채워나가는 식으로 투자가 이뤄진다”면서 “12월부터 발주 들어오면 1분기에 장비 공급이 개시될 것”이라고 말했다.

도현우 NH투자증권 애널리스트도 삼성전자의 대규모 증설을 예상했다. 그는 “2021년에 삼성은 D램은 보수적, 낸드는 공격적으로 투자할 것으로 추정된다. 각각 4만장 이하, 7만장 이상”이라며 “내년 파운드리 공급 부족이 심화할 것으로 보이면서 삼성은 평택과 미국 오스틴 등 파운드리 라인에 10조원 이상 투자할 것”이라고 분석했다.

삼성전자는 내년 양과 질의 동반 향상을 준비 중이다. D램에 극자외선(EUV) 도입을 본격화한다. 낸드는 170단 이상의 7세대 제품을 출시할 예정이다. 파운드리는 4나노미터(nm) 2세대 공정 개발을 완료하고 3나노 양산 준비에 박차를 가할 계획이다.

한편 국제반도체장비재료협회(SEMI)는 300밀리미터(mm) 메모리 팹에 대한 투자가 2020년부터 2023년까지 매년 한 자릿수 후반대 성장할 것으로 전망했다, 2024년에는 약 10%의 성장이 기대된다. 실리콘웨이퍼 출하량은 내년 2021년 5% 2022년 5.3% 2023년 4.1% 확대될 것으로 예상했다.

<김도현 기자>dobest@ddaily.co.kr