동부하이텍, 스마트폰용 130나노급 전력반도체 생산 공정 개발

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동부하이텍, 스마트폰용 130나노급 전력반도체 생산 공정 개발

디지털데일리 발행일 2014-07-21 16:25:16

한주엽

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[디지털데일리 한주엽기자] 동부하이텍은 21일 스마트폰 핵심부품인 전력반도체 생산용 130나노급 복합전압소자(BCDMOS) 공정 기술을 개발했다고 밝혔다.

최근 퀄컴 등 팹리스 업체들은 칩 면적을 최소화하기 위해 기존 180나노에서 130나노급으로 전력반도체 설계 공정을 미세화하고 있다. 동부하이텍도 이에 맞춰 해당 공정을 개발, 관련 파운드리 시장에서 영향력을 높이겠다는 전략이다. 이번 공정기술은 스마트폰의 핵심부품인 애플리케이션프로세서(AP)와 모뎀칩에 전력을 공급하는 전력반도체 생산에 최적화돼 있다. 회사 측은 퀄컴과 미디어텍 등 선두기업에 대한 영업력을 강화하겠다고 설명했다.

동부하이텍 관계자는 “AP와 모뎀칩용 전력반도체는 칩 크기가 큰 만큼 개당 가격도 대략 2달러 수준으로 1달러 미만인 여타 전력반도체 대비 고가”라며 “성장성이 높고 부가가치가 높은 분야를 적극 공략해 지속적으로 매출을 확대해나가겠다”라고 말했다.

시장조사업체 아이서플라이에 따르면 스마트폰 및 태블릿용 전력반도체 시장은 작년 24억달러에서 올해 약 30억달러 규모로 성장하고, 2017년까지 연평균 10%의 높은 성장률을 보이며 약 35억달러 규모를 형성할 전망이다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr