삼성전자, 10나노대 낸드 양산… 스마트폰용 고성능 eMMC로 출시

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삼성전자, 10나노대 낸드 양산… 스마트폰용 고성능 eMMC로 출시

디지털데일리 발행일 2012-11-15 13:47:14

한주엽 기자

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[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자가 10나노대(1x nm) 미세공정을 적용한 낸드플래시를 첫 양산한다. 삼성전자는 이 제품을 기반으로 업계 최고 수준의 속도를 내면서도 칩 면적까지 줄인 스마트폰용 내장 메모리를 출시했다.

15일 삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 권오현)는 1x나노 고속 낸드플래시 기반으로 업계 최고 속도를 구현한 64GB(기가바이트) 내장 메모리(eMMC, embedded Multi Media Card) ‘64GB eMMC 프로 클래스 2000’를 출시한다고 밝혔다.

eMMC는 스마트폰과 태블릿 등 모바일 기기에 탑재되는 메모리 반도체다. 최근 시장이 급격하게 확대되고 있다. 고성능 eMMC가 탑재되면 스마트폰에서 동영상 등 각종 파일을 읽는 속도가 빨라진다.

64GB eMMC 프로 클래스 2000는 국제 반도체표준화기구(JEDEC)의 최신 표준인 eMMC 4.5 인터페이스가 적용된 기존 64GB eMMC 프로 클래스 1500 대비 성능이 30% 높다. 클래스 2000은 삼성전자의 독자 규격으로 설계됐다.

삼성전자 관계자는 “클래스 2000을 내놓음으로써 차세대 고성능 스토리지 기술의 표준을 주도해 나갈 수 있게 됐다”고 말했다. 업계 관계자는 “메모리 반도체 1위 업체인 삼성전자가 앞선 기술력으로 세계 표준을 직접 정하고 있는 모양새”라고 말했다.

이번 클래스 2000 제품은 임의쓰기 속도가 2000아이옵스(IOPS Input and outputs per second), 임의읽기 속도는 5000아이옵스까지 높였다. 아이옵스는 메모리의 랜덤쓰기속도를 측정하는 방식으로 메모리와 전자기기 사이에 초당 데이터 교환 횟수를 의미한다.

아울러 연속읽기 속도, 쓰기 속도는 각각 260MB/s(Megabyte per second), 50MB/s로 1.4GB 용량의 영화 한 편을 읽고 쓰는데 각 5.4초, 28초가 걸린다고 회사 측은 설명했다. 이는 고속 외장 메모리 카드인 클래스 10 제품의 읽기 속도 24MB/s, 쓰기 속도 12MB/s보다 10배 이상 빠른 것이다.

클래스 2000은 패키지 면적이 11.5×13mm로 기존 제품 패키지(12x16mm)보다 약 20% 이상 작은 것도 장점이다. 패키지 면적이 줄어들면 스마트폰 완제품의 크기는 더욱 작아질 수 있다.

삼성전자 메모리사업부 김명호 상무는 “삼성전자 독자규격의 차세대 내장 메모리 선행 출시로 모바일 메모리의 솔루션 경쟁력을 더욱 강화했다”며 “향후 애플리케이션프로세서(AP) 업체와 기술 협력을 통해 더욱 다양한 라인업을 확보, 모바일기기 업체들이 차세대 시스템을 적기에 출시할 수 있게 할 것”이라고 말했다.

삼성전자는 내년 클래스 2000 128GB 대용량 제품을 출시하고 업계 최대 eMMC 라인업을 구축한다는 계획이다. 아울러 올해부터 10나노대 64Gb 낸드플래시 생산량을 빠르게 확대한다는 계획이다. 삼성전자는 2014년에는 10나노대 낸드플래시가 전체 시장의 50% 이상 비중을 차지할 것으로 전망했다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr