삼성·하이닉스, 올해 메모리 반도체 미세공정전환 박차

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삼성·하이닉스, 올해 메모리 반도체 미세공정전환 박차

디지털데일리 발행일 2012-02-03 14:45:24

한주엽 기자

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[디지털데일리 한주엽기자] 메모리 반도체 1·2위 업체인 삼성전자와 하이닉스가 올해도 한 발 앞선 미세공정전환을 통해 사업 경쟁력을 높이고 경쟁 업체를 멀리 따돌리겠다는 계획을 세웠다.

3일 관련 업계에 따르면 삼성전자와 하이닉스는 올해 20나노급 D램과 10~20나노 차세대 낸드플래시를 양산, 비중을 확대한다.

삼성전자는 20나노급(29나노 안팎) D램과 10나노급(18나노 안팎) 낸드플래시의 생산 비중을 점진적으로 확대, 연말에는 주력 제품군 반열에 올리겠다는 계획이다.

우선 지난해 하반기부터 양산에 돌입한 20나노급 D램의 경우 30나노급 이하 D램 가운데 올 연말 기준 40%의 비중으로 생산량을 확대한다. 10나노급 낸드플래시는 전체 20나노급 이하 제품군 가운데 연말 기준 비중 목표가 30% 이상이다.

앞서 삼성전자는 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스 콜을 통해 올 연말 기준 20나노급을 포함한 30나노급 이하 D램의 생산 비중을 전체의 60% 이상으로 확대할 계획이라고 밝혔다. 낸드플래시는 10나노급을 포함한 20나노급 이하 공정의 생산량은 90% 비중을 초과할 것으로 전망했다.

이는 지난해 3분기 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 밝혔던 30나노급 이하 D램 비중 50%와 20나노급 이하 낸드 비중 70%에서 확대된 것으로 업계에선 삼성전자의 미세공정전환 작업이 순조롭다는 신호로 해석했다.

하이닉스도 29나노 D램과 20나노 공정의 낸드플래시를 올해부터 양산한다. 29나노 D램은 2분기부터, 20나노 낸드플래시는 1분기부터 양산에 돌입한다.

하이닉스는 올 연말 패키지 기준 30나노급 이하 D램 가운데 29나노의 제품 비중을 40%로 확대할 계획이라고 밝혔다. 낸드플래시의 경우 20나노급 제품 가운데 20나노의 제품 비중을 80%로 확대한다.

반도체 제조 공정을 한 세대 더 미세하게 바꾸면 웨이퍼 한 장에서 뽑아낼 수 있는 칩의 양이 늘어나 제조 원가를 30~40% 줄일 수 있다.

일본과 대만 메모리 반도체 업체들은 이 미세공정전환 속도가 삼성이나 하이닉스보다 훨씬 느리다. 이 탓에 미국 마이크론을 제외한 일본 엘피다와 대만 난야, 이노테라 모두 큰 폭의 연간 적자를 기록한 것으로 나타났다.

업계 관계자는 “메모리 반도체의 가격 하락은 필연적인 것이고 가격 하락 속도보다 미세공정전환 속도가 빠르면 이익을 남기는 것이 이 산업의 기본적인 손익 구조”라며 “경쟁사보다 한 두발짝 앞선 미세공정전환 여부에 주목할 필요가 있다”라고 말했다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr