삼성 반도체 후발 업체와 격차 더 벌린다… 20나노급 D램 본격 양산

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삼성 반도체 후발 업체와 격차 더 벌린다… 20나노급 D램 본격 양산

디지털데일리 발행일 2011-07-31 15:31:29

한주엽 기자

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[디지털데일리 한주엽기자] 삼성전자 반도체 사업부가 앞선 미세공정 전환으로 일본과 대만 업체는 물론 2위인 하이닉스와도 기술 격차를 더 벌릴 것으로 전망된다.

29일 삼성전자는 2분기 실적발표 컨퍼런스 콜에서 4분기 중 20나노급 D램을 본격 양산할 계획이라고 밝혔다. 이를 위해 삼성전자는 조만간 인텔을 통해 20나노급 범용 D램의 품질 인증 과정을 거칠 것이라고 설명했다.

삼성전자는 “내년에는 20나노 D램 비중이 대부분을 차지할 것”이라고 밝혔다.

삼성전자가 4분기 20나노급 D램의 대량 양산에 성공하면 일본 엘피다 등 해외 업체는 물론 2위인 하이닉스와도 기술 격차를 더 벌릴 수 있을 것으로 업계에선 보고 있다.

업계 관계자는 “하이닉스가 3분기 30나노급 D램의 램프업(점진적 생산량 증대)을 시작한다고 밝혔는데 이는 계획보다 다소 늦어진 것”이라며 “지난해 하이닉스가 삼성전자와의 기술 격차를 6개월로 좁혔지만 최근 30나노급 D램 양산에 어려움을 겪으며 격차가 9개월 이상으로 늘어났다고 보고 있다”고 평가했다.

삼성전자는 아울러 30나노급 모바일D램의 대량 생산도 시작했다고 밝혔다. 통상 모바일D램의 가격이 PC용 D램 보다 3배 가량 높기 때문에 원가경쟁력이 떨어지는 한 세대 낮은 공정의 제품이 고객사로 공급된다.

하이닉스의 경우 2분기 40나노급 모바일D램의 대량 양산에 돌입한 만큼 삼성전자와 기술 격차가 한 세대(1년) 가량 벌어진 것으로 분석되고 있다.

기술 격차가 벌어지고 있다는 사실은 영업이익률으로도 확인할 수 있다.

2분기 삼성전자의 반도체 사업 영업이익률은 1분기 대비 1.7%포인트(19.6%)나 높이며 경쟁력을 확인시켜줬다.

반면 경쟁 업체의 영업이익률은 한 자릿수로 떨어지거나 마이너스를 기록하고 있다.

하이닉스의 경우 램버스 특허소송 승소에 따른 충당금 환입을 제외하면 1분기 대비 영업이익률이 하락한 것으로 추정된다. 대만 D램 업체인 난야, 이노테라 등은 줄줄이 적자 기조를 이어가고 있다.

PC용 D램 가격이 사상최저치를 기록하고 있고 하반기에는 일본 엘피다의 모바일D램 공급량 증가 우려, 노키아의 스마트폰 사업 부진 등으로 스페셜티 제품의 가격 하락도 예상되고 있다.

그러나 삼성전자는 앞선 미세공정전환으로 원가경쟁력을 확보한 만큼 가격 하락에 따른 이익률 저하를 방어할 수 있을 것이라는 분석이다.

삼성전자는 올해 메모리 반도체 분야의 시설투자를 더 확충할 계획이라고 밝혔다. D램 업체간 치킨게임을 끝내겠다는 관점으로 바라볼 수 있고, 공격적으로 낸드플래시 생산력을 증대하고 있는 도시바를 견제하기 위한 방편으로도 해석 가능하다.

삼성전자 관계자는 “메모리 부문의 미세공정 전환 가속화를 통해 업계 최고 수준의 원가 경쟁력을 확보하고 제품 차별화 등을 통해 수익성을 확보할 계획”이라고 설명했다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr