[반차장보고서] 美中 반도체 대전 격화…인텔3 공정 대량생산, 파운드리 ‘쑥쑥’

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[반차장보고서] 美中 반도체 대전 격화…인텔3 공정 대량생산, 파운드리 ‘쑥쑥’

디지털데일리 발행일 2024-06-22 12:00:00

김문기 기자

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[소부장반차장] 6월 넷째주 반도체·부품 소식 한눈에 살펴보기

반도체⋅부품 관련 정책 동향과 현장의 목소리를 전달하기 위해 한 주 동안 열심히 달린 <소부장반차장>이 지난 이슈의 의미를 되새기고, 차주의 새로운 동향을 연결해 보고자 주간 보고서를 올립니다. <반차장보고서>를 통해 한 주를 정리해보시길 바랍니다. <편집자주>

인텔, 미국 뉴멕시코주에 반도체 생산시설 ‘팹 9(Fab 9)’ 오픈 [사진=인텔]

막는 美, 뚫는 中…반도체 주도권 경쟁 심화

미국이 중국을 향한 반도체 수출 통제 법안을 추가로 발의하며 견제 수위를 높이고 있다. 인공지능(AI)과 반도체가 국가 경제·보안의 핵심으로 떠오르자, 반도체 굴기를 지속하는 중국을 고립시키기 위해서다. 이에 따라 국내 반도체 업계의 주요 판매처도 미국에 집중되는 모습이다.

지난 18일(현지시간) 블룸버그통신에 따르면 미국 의회에서 반도체지원법(Chips ACT)의 수혜를 받는 기업들이 중국·러시아·북한·이란 등이 소유·통제하는 기업·단체로부터 반도체 제조 장비 구매를 못하도록 하는 법안이 발의됐다. 반도체지원법에 따라 보조금을 받는 미국 내 사업장이 법안의 대상이다. 이번 법안은 민주당, 공화당 의원이 함께 하는 등 초당적으로 발의됐다.

미국은 지난 2019년 화웨이로 향하는 반도체 수출 제재를 시작으로 대중국 반도체 견제 강도를 높이고 있다. 반도체지원법의 보조금을 받는 기업들이 중국 내 공장에 대한 생산량을 높이지 못하도록 규정을 마련하는 한편, 미국 기술이 포함된 첨단 칩 기술·장비를 중국 등에 판매할 수 없도록 하는 조치를 취하기도 했다.

최근에는 AI·고대역폭메모리(HBM)용 장비의 중국 수출을 제한하는 한편, 게이트올어라운드(GAA) 기술 접근에 대한 규제를 도입하는 안도 내놓은 바 있다. 아울러 28나노미터(㎚) 이상 구형 반도체 분야에서도 관세를 25% 수준에서 50%로 높였다.

미국이 중국을 향한 견제를 지속하는 이유는 반도체 시장 내 자국 입지를 강화하기 위해서다. 부족한 제조 인프라를 자국에 확대하는 한편, 중국의 반도체 기술 발전 수준을 지연시켜 첨단 무기·보안·AI 등 국가핵심 기술에서 격차를 벌리려는 의도다.

지난해 중국이 반도체 수출 규제 조치를 뚫고 첨단 칩을 내놓은 점도 이러한 견제 수위를 높이는 배경 중 하나다. 화웨이는 자회사 하이실리콘을 통해 7나노 급 AP 개발에 성공했고, 이를 탑재한 스마트폰 '메이트 60 프로'를 출시하는 성과를 거둔 바 있다.

또 파운드리에서는 SMIC가 글로벌 시장 점유율 3위에 오르는 저력을 내보인 바 있으며, 메모리에서도 양쯔메모리(YMTC) 자회사 우한신신, 화웨이, 창신메모리(CXMT) 등이 HBM 개발에 나선 상황이다.

팻 겔싱어 인텔 CEO는 4일(현지시간) 대만 타이베이에서 열린 컴퓨텍스 2024에서 기조연설에 나서 데이터센터, 클라우드와 네트워크에서 엣지 및 PC에 이르기까지 AI 생태계를 획기적으로 가속화할 최첨단 기술 및 아키텍처를 공개했다.

인텔, 제온6 대량생산 핵심 ’인텔3’ 공정기술 공개…내년 인텔 20A·18A ‘순항'

“인텔3는 최고의 핀펫(FinFET) 프로세스 공정 제품군을 제공한다. 인텔4 공정 대비 10% 향상된 밀도와 완전한 세대의 성능을 제공한다. 인텔3 공정은 지난해 4분기 제조 준비 상태에 도달했으며, 현재 인텔 제온6 프로세서 제품군을 대량 생산하고 있다. 인텔은 4년내 5개공정 계획에 대한 일관된 실행 약속을 이행하고 내년 도입될 인텔 20A 및 인텔 18A 프로세스 공정을 통해 리본펫(RibbonFET) 및 옹스트롬 시대로의 전환을 위한 길을 닦고 있다.”

왈리드 하페즈 인텔 파운드리 기술 개발 부사장은 지난 18일(현지시간) 인텔 연례 VLSI 심포지엄을 통해 인텔3 공정 기술로 최첨단 파운드리 공정을 제공함에 따라 공정 리더십을 회복하고 있다고 소개하며 이같이 말했다.

그에 따르면 인텔 파운드리(Intel Foundry)는 혁신적인 기술을 활용하여 무어의 법칙을 계승하며 고객이 새로운 애플리케이션 개발을 위해 더 큰 역량을 발휘할 수 있도록 최선을 다하고 있다. 인텔은 2005년 스트레인드 실리콘, 2009년 하이케이(Hi-K) 메탈 게이트, 2011년 핀펫(FinFET) 아키텍처로 트랜지스터를 3차원으로 구현하는 등 수십 년 동안 주요 전환점에서 트랜지스터 기술을 통해 업계를 선도해 왔다. 또한, 현재 AI 및 슈퍼컴퓨터와 같은 미래를 뒷받침할 새로운 트랜지스터 혁신을 지속적으로 이끌고 있다.

무엇보다 인텔은 이번 심포지엄을 통해 최첨단 핀펫 기반 노드인 인텔 3 공정 노드에 대한 세부 정보를 밝혔다.

기본 인텔 3 공정 노드는 전체 프로세서 코어에서 동일한 전력으로 최대 18% 더 나은 성능을 제공하며, 유연한 메탈 인터커넥트 옵션 세트와 이전 세대인 인텔4 공정 대비 최대 10% 더 높은 집적도를 제공한다. 이는 한 세대 전체에 걸친 성능 개선이 이루어진 것으로, 불과 1년 만에 놀라운 진전을 이룬 것이라는 설명이다.

인텔3 공정은 미국 오레곤(Oregon)의 연구개발(R&D) 사이트에서 대량 생산에 도달했으며, 현재 아일랜드 레익슬립(Leixlip) 팹에서도 인텔 제품인 인텔 제온 6 서버 프로세서를 포함한 파운드리 고객용 칩을 대량 생산하고 있다.