하이닉스-도시바, 차세대 메모리 M램 공동개발

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하이닉스-도시바, 차세대 메모리 M램 공동개발

디지털데일리 발행일 2011-07-13 16:18:36

윤상호 기자

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- 개발 성공시 공동생산도…기존 특허 계약 연장

[디지털데일리 윤상호기자] 하이닉스반도체가 일본 도시바와 차세대 메모리 개발과 생산을 협력키로 했다. 하이닉스와 도시바는 각각 D램과 낸드 플래시 메모리 시장 점유율 2위다. 부동의 1위 삼성전자를 잡기 위해 분야별 2위 업체가 뭉쳤다.

하이닉스(www.hynix.com 대표 권오철)는 도시바와 차세대 메모리 ‘STT-M램(Spin Transfer Torque Magnetoresistive RAM, M램)’을 공동 개발키로 했다고 13일 밝혔다. 공동 개발에 성공하면 양사는 합작사를 설립해 생산도 공동으로 진행한다.

M램은 낸드 플래시처럼 전력의 공급 없이도 데이터를 보관하는 비휘발성 메모리다. 안정성도 좋다는 평가를 받고 있다. 기술적 한계로 여겨지는 10나노 이하에서도 집적이 가능하다.

하이닉스 권오철 사장은 “M램은 빠른 동작 속도와 낮은 전력 소비, 높은 신뢰성 등의 기존 메모리의 장점을 두루 갖춰 새로운 모바일 기기 수요 확대와 제품의 고성능이 요구되는 ‘메모리 신성장 시대’에 최적화된 제품”이라고 말했다.

도시바 반도체 부분 고바야시 사장은 “M램은 공정 미세화에 유리해 향후 성공 가능성이 매우 높다”며 “도시바는 M램, 낸드, 하드디스크드라이브(HDD) 등을 포함한 모든 스토리지 솔루션의 제공을 목표로 하고 있으며 하이닉스와의 M램 공동 개발은 이러한 목표 달성에 큰 도움이 될 것”이라고 전했다.

한편 이날 양사는 기존 반도체 특허 상호 라이선스 및 제품의 장기 공급 계약도 연장했다.

<윤상호 기자>crow@ddaily.co.kr