삼성전자, 차세대 메모리 R램 성능 향상 기술 확보

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삼성전자, 차세대 메모리 R램 성능 향상 기술 확보

디지털데일리 발행일 2011-07-12 12:22:27

윤상호 기자

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- ‘네이처 머티어리얼즈’에 신기술 논문 발표

[디지털데일리 윤상호기자] 삼성전자가 차세대 메모리로 각광받고 있는 저항변화형 메모리(RRAM: Resistive Random Access Memory, R램)의 쓰기-지우기 내구성과 속도 등을 대폭 향상시킬 수 있는 기술 개발에 성공했다.

삼성전자가 이번에 개발한 R램 기술은 쓰기-지우기 동작을 기존 플래시 메모리의 100만배에 이르는 1조번을 반복할 수 있는 내구성을 확보해 업계의 이목이 집중되고 있다.

삼성전자(www.samsung.com/sec 대표 최지성)는 영국 학술지 ‘네이처 머티어리얼즈(Nature Materials)’ 인터넷판(10일자)에 자사가 발표한 ‘산화탄탈륨(Ta2O5-x/ TaO2-x)의 비대칭 2중층 구조로 빠른 전환, 고내구성의 고용량 RRAM 구현’ 논문이 수록됐다고 12일 밝혔다.

이 기술의 핵심은 R램의 저항변화 물질로 산화탄탈륨(Ta2O5)을 사용한 것. 산소 함량이 다른 산화탄탈륨 Ta2O5-x와 TaO2-x의 2중층으로 나눠 전류를 흘려 주는 필라멘트를 Ta2O5-x의 한 층에만 분포되도록 했다.

삼성전자는 필라멘트의 분포를 제어하는 R램 신기술 개발을 통해 쓰기-지우기 동작을 1조번 반복할 수 있는 내구성을 확보하고 전류량도 줄였다. 또 트랜지스터와 레지스터(Resistor)를 각각 1개씩 구성하는 1T1R(1 Transistor 1 Resistor)의 기존 R램 구조를 별도의 트랜지스터가 필요없는 구조로 바꿔 메모리 용량을 늘릴 수 있는 가능성도 제시했다.

한편 삼성전자는 R램 신기술 상용화 시기는 5년 후 정도로 전망했다. 메모리 반도체 분야에서 삼성전자와 경쟁사의 기술 격차도 더욱 벌어지게 됐다.

<윤상호 기자>crow@ddaily.co.kr