ST, 레티와 28나노 FD-SOI UWVP DSP 시연

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ST, 레티와 28나노 FD-SOI UWVP DSP 시연

디지털데일리 발행일 2014-02-19 17:54:03

한주엽

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[디지털데일리 한주엽기자] ST마이크로일렉트로닉스는 지난 9일부터 13일까지 미국 샌프란시스코에서 개최된 국제고체회로학회(ISSCC)에서 프랑스 연구 전문단체인 CEA-레티와 공동으로 28나노 초박형본체산화막(Ultra-Thin Body Buried-oxide, UTBB) 완전 공핍형 실리콘-온-인슐레이터(FD-SOI Fully-depleted silicon-on-insulator) 기술 기반의 초광대역전압범위(Ultra-Wide-Voltage Range, UWVR) 디지털신호처리프로세서(DSP)를 시연(논문 제목 A 460MHz at 397mV, 2.6GHz at 1.3V, 32b VLIW DSP, Embedding Fmax Tracking)했다고 19일 밝혔다.

ST 측은 이번 시연을 통해 초광대적 전압 범위(UWVR), 에너지 효율 향상, 탁월한 전압 및 주파수 효율성을 달성했다고 설명했다.

필립 마가색 ST 설계 구현 서비스 부문 수석 부사장은 “UTBB FD-SOI 기술은 ST의 ‘더 빠르고, 더 발열이 적고, 더 단순한’ 솔루션”이라며 “이 기술은 성능 및 절전 기능을 크게 향상시키는 한편 기존 설계 및 제조 방식의 수정도 최소화한다”고 설명했다.

<한주엽 기자>powerusr@ddaily.co.kr