
[디지털데일리 김문기기자] 마우저 일렉트로닉스가 온세미의 새로운 질화갈륨 전계효과 트랜지스터(GaN FET) 제품군 '가넥서스(GaNEXUS)'를 공급한다고 10일 밝혔다.
가넥서스 GaN FET는 질화갈륨의 와이드 밴드갭 특성을 활용해 고속 스위칭과 낮은 게이트 및 출력 전하를 구현했다. 인공지능(AI)과 데이터센터, 산업 자동화, 로보틱스, 에너지 인프라 애플리케이션에 적용 가능하다. 저전압부터 초고전압 범위의 전력 변환 애플리케이션에서 높은 동작 주파수와 전력 밀도를 지원하며 자기 부품 크기를 줄이도록 돕는다.
가넥서스 제품군은 인핸스먼트 모드 방식의 디스크리트 고전자이동도 트랜지스터(HEMT)로 40V부터 650V까지의 전압 범위를 지원한다. 보호 기능을 통합한 650V 가넥서스 스마트 GaN FET도 라인업에 포함됐다.
저전압 및 중전압 시스템에서는 AI 서버, 48V 중간 버스 컨버터(IBC), 배터리 백업 유닛(BBU), 모터 드라이브 등에서 스위칭 손실을 줄이고 전력 밀도와 열 성능을 지원한다. 아울러 AI 파워 셸프, 직류-직류(DC-DC) 변환, 역률 보정(PFC) 및 LLC 공진 전력단 등 고전압 애플리케이션에서는 자기 부품 크기를 최대 60% 줄이고 전력 밀도를 개선한다.
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