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한화세미텍, 차세대 HBM 핵심 '하이브리드본더' 2세대 개발 성공

디지털데일리 발행일 2026-02-25 09:26:18
배태용 기자

[반도체레이다]

오차범위 0.1μm 초정밀 'SHB2 Nano' 상반기 고객사 인도

TC본더 호실적 바탕 R&D 대폭 확대…첨단 패키징 초격차 조준


한화세미텍 2세대 하이브리드본더 'SHB2 Nano' [사진=한화세미텍]


[디지털데일리 배태용기자] 한화세미텍이 '하이브리드본더(Hybrid Bonder)' 2세대 제품 개발에 성공했다.

한화세미텍은 2세대 하이브리드본더 'SHB2 Nano' 개발을 마치고 올해 상반기 중 고객사에 인도해 성능 테스트를 진행할 예정이라고 25일 밝혔다. 이는 지난 2022년 1세대 장비를 고객사에 납품한 지 4년 만에 거둔 기술적 쾌거다.

하이브리드본딩은 칩과 칩 사이를 연결하는 전도성 돌기인 범프(Bump)를 없애고 구리(Cu) 표면을 직접 접합하는 최첨단 패키징 기술이다. 기존 대비 데이터 전송 속도를 높이고 전력 소모를 줄이면서도 칩 두께를 얇게 유지할 수 있어 16~20단 이상의 고적층 고대역폭메모리(HBM) 제조에 필수적인 공정으로 꼽힌다.

이번에 선보인 'SHB2 Nano' 장비에는 머리카락 굵기의 1000분의 1 수준인 0.1마이크로미터(μm) 단위의 위치 오차를 잡아내는 초정밀 정렬 기술이 적용됐다. 한화세미텍은 1세대 공급 경험을 살려 이른 시일 내에 양산용 장비를 시장에 본격적으로 안착시킨다는 전략이다.

차세대 장비 확보와 함께 현재 캐시카우 역할을 하는 열압착(TC) 본더 시장에서의 지배력도 탄탄히 다지고 있다. 한화세미텍은 지난해 주력 TC본더 'SFM5 Expert'로 900억 원 이상의 매출을 올리며 4분기 반도체 부문 실적을 흑자로 돌려세웠다. 지난해 3월 첫 공식 납품 이후 약 1년 만에 이룬 성과로, 올해 1월과 2월에도 연달아 두 차례 공급 계약을 따냈다.

선제적 시장 대응을 위해 한화세미텍은 본딩 헤드 크기를 키운 2세대 TC본더와 칩 간격을 줄인 플럭스리스(Fluxless) TC본더 등 신장비도 잇달아 출시할 예정이다. 미래 기술 선점을 위한 연구개발(R&D) 비용 역시 전년 대비 50% 이상 대폭 늘렸다. 향후 한화그룹의 인적 분할을 거쳐 테크 솔루션 부문 신설 지주사 산하로 편입되면 그룹 차원의 시너지와 R&D 투자가 한층 활발해질 전망이다.

한화세미텍 관계자는 "지속적인 투자로 하이브리드본딩의 기술적 난제를 풀고 마침내 제품을 시장의 본궤도에 올릴 수 있게 됐다"며 "미래 기술 혁신을 통해 독보적 기술력을 갖춘 첨단 반도체 솔루션 기업으로 도약할 것"이라고 강조했다.

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