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DB하이텍, 650V GaN HEMT 공정 개발 완료…차세대 전력반도체 시장 공략 [소부장반차장]

디지털데일리 발행일 2025-09-11 09:35:53
배태용 기자

DB하이텍 부천 사업장. [ⓒDB하이텍]

[디지털데일리 배태용 기자] DB하이텍(대표 조기석)이 650V E-Mode GaN HEMT(전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터) 공정 개발을 완료하고, 오는 10월 말부터 고객이 시험 생산에 활용할 수 있는 GaN 전용 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼)를 제공한다고 10일 밝혔다.

GaN 소재 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반 제품 대비 고전압·고주파·고온 특성이 뛰어나며 전력 효율이 높다. SiC(실리콘카바이드)와 함께 차세대 전력반도체로 주목받고 있으며, 전기차, 인공지능(AI) 데이터센터, 고속 충전, 5G 통신, 로봇 등 고성장 산업에서 수요가 급증하는 추세다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 글로벌 GaN 시장은 2025년 5억3000만달러에서 2029년 20억1300만달러로 연평균 약 40% 성장할 전망이다.

이번에 개발된 650V E-Mode GaN HEMT는 고속 스위칭과 안정성을 특징으로 전기차 충전기, 데이터센터 전력변환기, 5G 통신 장비 등에서 활용도가 높다. DB하이텍은 지난 2022년부터 GaN과 SiC 등 화합물반도체를 차세대 성장동력으로 선정하고 공정 개발을 이어왔다.

DB하이텍 관계자는 "회사는 세계 최초로 0.18㎛ BCDMOS를 개발하는 등 Si 기반 전력반도체 분야에서 글로벌 기술 경쟁력을 확보해왔다"며 "이번 GaN 공정 개발로 전력반도체 파운드리 기업으로서의 경쟁력이 한층 강화될 것"이라고 강조했다.

회사는 650V GaN HEMT 공정에 이어 IC(집적회로) 설계가 가능한 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차적으로 선보일 계획이다. 이후 시장 상황과 고객 수요를 고려해 더 넓은 전압대 공정으로 확장, 사업 기반을 강화한다는 전략이다.

생산능력 확대도 추진 중이다. DB하이텍은 충북 음성 상우캠퍼스에 신규 클린룸을 증설하고 있으며, 완공 시 8인치 웨이퍼 기준 월 3만5000장 규모가 추가된다. 이를 통해 현재 월 15만4000장에서 19만장으로 생산능력이 23% 확대될 전망이다. 신규 라인에서는 GaN뿐 아니라 BCDMOS, SiC 등 다양한 전력반도체가 생산될 예정이다.

한편, DB하이텍은 SiC 기술 홍보와 네트워크 강화를 위해 오는 15일부터 18일까지 부산 벡스코에서 열리는 '국제탄화규소학술대회(ICSCRM) 2025'에 참가한다. 이 자리에서 GaN, SiC, BCDMOS 등 최신 전력반도체 기술 개발 현황을 공개하고 고객사 및 업계 관계자와 교류할 계획이다.

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